VS-VSKDU162/12PBF
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKDU162/12PBF
| Artikelnummer: | VS-VSKDU162/12PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN 1.2KV 102.5A INTAPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 15+ | $90.402 |
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- Spezifikationen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKDU162/12PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-VSKDU162/12PBF.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 3.2 V @ 100 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse INT-A-PAK Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie HEXFRED® Rückwärts-Erholzeit (Trr) 200 ns Verpackung / Gehäuse INT-A-PAK (3) Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C Befestigungsart Chassis Mount Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Strom - Sperrleckstrom @ Vr 30 mA @ 1200 V Strom - Richt (Io) (pro Diode) 102.5A (DC) Grundproduktnummer VSKDU162 VS-VSKDU162/12PBF Einzelheiten PDF [English] VS-VSKDU162/12PBF PDF - EN.pdf -
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